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| 规格书 |
 EMH2801 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Diode (Isolated) |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 20V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 3A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 85 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | - |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 4nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 320pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-SMD, Flat Lead |
| 供应商器件封装 | 8-EMH |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 8EMH |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 最大连续漏极电流 | 3 A |
| RDS -于 | 85@4.5V mOhm |
| 最大门源电压 | ±10 V |
| 典型导通延迟时间 | 7.1 ns |
| 典型上升时间 | 21 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 37 ns |
| 典型下降时间 | 32 ns |
| 工作温度 | -55 to 125 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±10 |
| 包装宽度 | 1.7 |
| PCB | 8 |
| 最大功率耗散 | 1000 |
| 最大漏源电压 | 20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 85@4.5V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | Sot-383FL |
| 标准包装名称 | Sot-383 |
| 最高工作温度 | 125 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 2 |
| 引脚数 | 8 |
| 包装高度 | 0.75 |
| 最大连续漏极电流 | 3 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Flat |
| FET特点 | Diode (Isolated) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 3A (Ta) |
| 封装/外壳 | 8-SMD, Flat Lead |
| 供应商设备封装 | 8-EMH |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 85 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 320pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 4nC @ 4.5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 10 V |
| 连续漏极电流 | 3 A |
| RDS（ON） | 85 mOhms |
| 功率耗散 | 1 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 20 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 20 V |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 85 mOhms |
| 系列 | EMH2801 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| Id - Continuous Drain Current | - 3 A |
| Pd - Power Dissipation | 1 W |
| 通道数 | 1 Channel |
| 技术 | Si |
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